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产品简介:
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Micron Technology Inc. 的存储器产品 MT47H128M8CF-3 AAT:H TR 是一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,常用于需要高性能和大容量内存的应用场景。其主要应用场景包括: 1. 工业控制设备:如PLC、工业计算机等,用于提升数据处理速度与系统响应能力。 2. 通信设备:在路由器、交换机及基站设备中作为高速缓存使用,提升数据传输与处理效率。 3. 汽车电子系统:适用于车载信息娱乐系统(IVI)、高级驾驶辅助系统(ADAS)等对可靠性有较高要求的场景。 4. 消费类电子产品:如高端平板电脑、智能电视、游戏机等,提供快速的数据访问能力,支持流畅的用户体验。 5. 网络与服务器设备:用于边缘计算设备或小型服务器,满足对内存性能和稳定性的需求。 6. 医疗设备:如影像设备、监护仪等,确保设备运行稳定并快速处理大量数据。 该产品采用FBGA封装,具有良好的散热性和稳定性,适应宽温范围,适合在复杂环境中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR2 SDRAM 1GBIT 3NS 60FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT47H128M8CF-3 AAT:H TR |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 60-FBGA(8x10) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | DDR2 SDRAM |
| 存储容量 | 1G(128M x 8) |
| 封装/外壳 | 60-TFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 105°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 3ns |